Samsung vient d’annoncer le lancement des premières puces de type NAND gravées en 0.06µ et d’une capacité de 8 Gb (1 Go).

Afin d’obtenir cette finesse de gravure et cette densité, Samsung a utilisé des transistors combinés en une structure 3D et associés à une technologie d’isolation des diélectriques, de quoi permettre de minimiser les interférences entres les cellules. Samsung annonce également des coûts de production sont réduits de 50% grâce à l’utilisation du procédé lithographique KrF.

Avec cette nouvelle mémoire flash, des cartes mémoires de 16 Go pourront voir le jour (16 puces NAND), de quoi permettre le stockage de plus de 16 heures de vidéo qualité DVD ou de plus de 4 000 morceaux de musiques au format MP3.

L’occasion également pour Samsung d’annoncer les premières puces mémoires DDR2 de 2 Gb (256 Mo) et gravées en 0.08µ.

Elles proposent la technologie RCAT (Recess Channel Array Transistor) introduite en 2003 par Samsung, une sorte d’architecture des transistors en 3D qui permet de réduire les espaces et ainsi augmenter les densités. Les divers spécialistes annonçaient d’ailleurs que des puces de 256 Mo ne seraient disponibles qu’avec une finesse de gravure de 0.065µ.

Elles entreront en production massive à la mi-2005 et seront disponibles sous forme de barrettes d’une capacité de 2 Go, 4 Go et 8 Go. Des modules qui se destineront bien entendu aux serveurs et aux stations de travail.