Samsung nous prouve une fois de plus qu’il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l’innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d’annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (…) Cette nouvelle cellule est gravée en 60 nm permet de fabriquer des méoires d’une capacité de près de 8 Go. Par la mise côte à côte de deux modules de mémoire 4 Go. Constitués eux mêmes de 4 die de 8 Gbits. Selon certaines rumeurs on pourrait voir apparaître un iPod utilisant ce type de mémoire.

Samsung annonce également que cette nouvelle finesse de gravure en 60 nm, on a un rendement 25 % supérieur à la normale a la sortie d’usine. Samsung ne compte pas s’arrêter là et pense également intégrer ces nouvelles puces sous la dénomination moviNAND qui peuvent atteindre les 2 Go et qui seront surtout destinés aux télépones portables.