Intel et Micron ont annoncé une nouvelle référence en matière de technologie flash NAND: la première mémoire flash 20 nanomètres (nm) 128 gigaoctets (Go) à cellules de niveau multiples (MLC). Les deux entreprises ont également annoncé la production de masse de leur mémoire flash NAND 64 Go 20 nm, renforçant ainsi leur domination en matière de technologie NAND. Développé par la filiale commune d’Intel et Micron, IM Flash Technologies (IMFT), la nouvelle mémoire flash 128 Go 20 nm est la toute première à permettre un stockage de données d’un teraoctet (To) dans un tout petit boîtier comptant seulement huit matrices.

Elle fournit également une capacité de stockage et une performance deux fois supérieures à la NAND 20 nm 64 Go déjà produite par ces deux entreprises. La mémoire 128 Go supporte les spécifications haute-vitesse ONFI 3.0 permettant d’atteindre une vitesse de 333 mégatransferts par seconde (MT/s), et fournit ainsi une solution de stockage plus économique pour des produits qui doivent être toujours plus fins et plus épurés, comme les tablettes, les smartphones, ou les disques SSD haute-capacité.

« Alors que les appareils portables deviennent plus petits et plus fins, et que la demande en serveurs augmente, nos clients attendent de Micron de nouvelles technologies innovantes pour le stockage, et des solutions système à la hauteur des enjeux. », selon Glen Hawk, vice-président de la branche Solutions NAND de Micron. « Grâce à notre collaboration avec Intel, nous continuons de fournir l’expertise et les technologies indispensables à la fabrication de ces systèmes. »

Les deux entreprises ont également indiqué la clé de leur succès dans la technologie de fabrication 20 nm: une nouvelle structure de cellules permettant un échelonnage des cellules plus dynamique que les architectures conventionnelles. Leur NAND 20 nm utilise une structure planaire de cellule, la première dans l’industrie, afin de surmonter les difficultés inhérentes à l’avancement des technologies de fabrication. Elle permet d’accéder à une performance et une fiabilité comparables à celles possédées par les générations précédentes de mémoires flash. En intégrant pour la première fois un empilement Hi-K/métal à la conception d’une NAND, la structure planaire des cellules permet de résoudre les contraintes d’échelle des cellules NAND standards à porte flottante.

« Il est très gratifiant de constater la continuité de notre leadership commun dans le domaine des NAND, qui engendre de nouvelles innovations, alors même que nos équipes de fabrication continuent de produire des mémoires flash NAND 20 nm de haute densité et haute qualité, à bas prix. », selon Rob Crooke, vice-président de la branche Non-Volatile Memory Solutions d’Intel. « Avec l’utilisation de la structure planaire de cellules, et d’empilements Hi-K/Métal, IMFT continue de faire progresser les possibilités technologiques de nos mémoires flash NAND, afin de permettre la création de nouveaux produits et services dans de nouveaux formats. »

La demande en mémoires flash NAND de haute capacité est emmenée par trois tendances interconnectées du marché: la croissance du stockage de données, le passage au cloud, et la proliférations des appareils portables. Avec la croissance des contenus numériques, les utilisateurs ont tendance à réclamer que leurs données soient disponibles sur une multitude d’appareils, synchronisés à travers leur cloud. Afin de de produire des flux de données efficaces, les serveurs nécessitent un stockage de haute performance et de haute qualité que la technologie NAND leur fournit. Le stockage dans des périphériques mobiles a connu une croissance constante, accompagnant l’accès accru aux données. La vidéo haute définition est un exemple d’application requérant de hautes capacités de stockage; l’accès à ce type de données par le biais de flux peut en effet donner lieu à des résultats de qualité assez pauvre pour l’utilisateur. Ces développements technologiques créent de grandes opportunités pour un stockage à la fois performant et très peu encombrant, que ce soit dans les appareils mobiles qui consomment le contenu ou dans les serveurs de stockage qui le fournissent.

Intel et Micron ont enfin fait remarquer que l’accélération dans la production de leur flash NAND 20nm 64 Go en décembre va permettre une transition plus rapide à la gamme 128 Go en 2012. Quelques exemplaires de la 128 Go seront disponibles courant janvier, suivis rapidement d’une production de masse durant le premier semestre 2012. Cette nouvelle étape va permettre d’améliorer encore la production et d’atteindre de plus grandes densités, en aidant également les équipes de développement des deux entreprises à cultiver l’expertise nécessaire pour concevoir des solutions de stockage plus complexes et améliorer encore les technologies à venir.